关闭预览GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
国家标准
中文简体
被代替
页数：8页
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格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 6616-1995
相关服务
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标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H21 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
国际标准分类号（ICS）
29.040.30
发布日期
1995-04-18
实施日期
1995-12-01
发布单位/组织
国家技术监督局
归口单位
适用范围
-
发布历史
-
1995-12
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研制信息
- 起草单位：
- 上海有色金属研究所
- 起草人：
- 林敏敏、张玉芬、夏锦禄
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：9 千字 | 开本： 大16开
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