关闭预览GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 6617-2009
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标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
-
发布历史
-
1995-12
-
2010-06
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研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
- 起草人：
- 马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开
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