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GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法

GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 6617-2009
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
-

发布历史

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GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定　扩展电阻探针法
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研制信息

起草单位：
南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
起草人：
马林宝、骆红、刘培东、谭卫东、吕立平等
出版信息：
页数：12页 | 字数：10 千字 | 开本： 大16开

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