GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-1995 Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
国家标准
中文简体
被代替
页数:8页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 6617-1995
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号(CCS)
H21 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
国际标准分类号(ICS)
29.040.30
发布日期
1995-04-18
实施日期
1995-12-01
发布单位/组织
国家技术监督局
归口单位
适用范围
-
发布历史
-
1995-12
文前页预览
免费预览已结束,剩余部分可下载查看
研制信息
- 起草单位:
- 上海有色金属研究所
- 起草人:
- 施海青、张建宇、夏锦禄
- 出版信息:
- 页数:8页 | 字数:12 千字 | 开本: 大16开
推荐标准
- GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 2009-10-30
- GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 1995-04-18
- GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 2009-10-30
- GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 1995-04-18
- GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法 2009-10-30
- GB/T 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 1995-04-18
- GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 2009-10-30
- GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 1995-04-18
- GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法 2009-10-30
- GB/T 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法 1995-04-18

关闭预览
