关闭预览GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26066-2010 Practice for shallow etch pit detection on silicon
国家标准
中文简体
现行
页数：8页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 26066-2010
相关服务
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标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
2011-10
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研制信息
- 起草单位：
- 洛阳单晶硅有限责任公司
- 起草人：
- 田素霞、张静雯、王文卫、周涛
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开
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