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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法

GB/T 42902-2023 Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 42902-2023
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2023-08-06
实施日期
2024-03-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法
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研制信息

起草单位：
安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
起草人：
钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
出版信息：
页数：16页 | 字数：27 千字 | 开本： 大16开

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