关闭预览GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14142-2017 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 14142-2017
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H25 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-04-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
1993-10
-
2018-04
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研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
- 起草人：
- 马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：12 千字 | 开本： 大16开
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