关闭预览GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
GB/T 14146-2009 Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
国家标准
中文简体
被代替
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 14146-2009
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H80 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
-
发布历史
-
1993-10
-
2010-06
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研制信息
- 起草单位：
- 南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
- 起草人：
- 马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开
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