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GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法

GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41765-2022
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 碳化硅单晶位错密度的测试方法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-05-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
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研制信息

起草单位：
北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
起草人：
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
出版信息：
页数：16页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开

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