GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
国家标准
中文简体
现行
页数:16页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 41765-2022
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H21 碳化硅单晶位错密度的测试方法
国际标准分类号(ICS)
77.040
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-05-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
2023-05
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研制信息
- 起草单位:
- 北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
- 起草人:
- 彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:24 千字 | 开本: 大16开
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