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GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法　第4部分：杂质元素含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法

GB/T 14849.4-2014 Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 4:Determination of impurity contents—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 14849.4-2014
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H12 工业硅化学分析方法　第4部分：杂质元素含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法
国际标准分类号（ICS）
77.120.10
发布日期
2014-12-05
实施日期
2015-08-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法　第4部分：杂质元素含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法
GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法　第4部分：杂质元素含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法
GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法　第4部分：杂质元素含量的测定　电感耦合等离子体原子发射光谱法
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研制信息

起草单位：
昆明冶金研究院、中国铝业股份有限公司郑州研究院、昆明冶研新材料股份有限公司
起草人：
刘维理、王劲榕、李跃平、赵德平、杨毅、赵建为、王云舟、王宏磊、聂长虹、刘英波、卢国洪、吴豫强、张云晖、谭少姬、程志武、周杰
出版信息：
页数：16页 | 字数：19 千字 | 开本： 大16开

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