关闭预览GB/T 45716-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
GB/T 45716-2025 Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
国家标准
中文简体
现行
页数：16页
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格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 45716-2025
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标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-
发布历史
-
2025-09
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研制信息
- 起草单位：
- 工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
- 起草人：
- 恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：19 千字 | 开本： 大16开
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