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GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

GB/T 43894.1-2024 Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 43894.1-2024
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2024-04-25
实施日期
2024-11-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
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研制信息

起草单位：
山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
起草人：
王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江
出版信息：
页数：12页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开

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