齐齐文库
登录
齐齐文库
下载此文档
关闭预览

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)

GB/T 43894.1-2024 Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)

国家标准 中文简体 现行 页数:12页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 43894.1-2024
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H21 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
国际标准分类号(ICS)
77.040
发布日期
2024-04-25
实施日期
2024-11-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

文前页预览

GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
GB/T 43894.1-2024 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)
免费预览已结束,剩余部分可下载查看

研制信息

起草单位:
山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
起草人:
王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江
出版信息:
页数:12页 | 字数:15 千字 | 开本: 大16开