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GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱

GB/T 43612-2023 Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials

国家标准 中文简体 现行 页数：52页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 43612-2023
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 碳化硅晶体材料缺陷图谱
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
GB/T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱
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研制信息

起草单位：
广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
起草人：
丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平
出版信息：
页数：52页 | 字数：94 千字 | 开本： 大16开

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