关闭预览GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
GB/T 32651-2016 Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
国家标准
中文简体
现行
页数：16页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 32651-2016
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H82 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2016-04-25
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
-
发布历史
-
2016-11
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研制信息
- 起草单位：
- 国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(无锡市产品质量监督检验中心)、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
- 起草人：
- 何莉、吴建国、王琴、周滢、刘晓霞、鲁文锋、陈进、封丽娟、李建德、黄雪雯、孙绍武、冯亚彬、裴会川
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
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