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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法

GB/T 32282-2015 Test method for dislocation density of GaN single crystal—Cathodoluminescence spectroscopy

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 32282-2015
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法
GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法
GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量　阴极荧光显微镜法
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研制信息

起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
起草人：
曾雄辉、张燚、董晓鸣、牛牧童、刘争晖、邱永鑫、王建峰、徐科
出版信息：
页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开

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