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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

国家标准 中文简体 现行 页数：8页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 30867-2014
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H83 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2014-07-24
实施日期
2015-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
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研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人：
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川
出版信息：
页数：8页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开

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