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GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

GB/T 14863-2013 Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

国家标准 中文简体 废止 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 14863-2013
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
废止
中国标准分类号（CCS）
H80 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2013-12-31
实施日期
2014-08-15
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
中国电子技术标准化研究院
适用范围
-

发布历史

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GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
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研制信息

起草单位：
信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
起草人：
何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光、刘筠
出版信息：
页数：16页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开

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