关闭预览GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
GB/T 14863-1993 Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
国家标准
中文简体
被代替
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 14863-1993
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
L41 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
国际标准分类号（ICS）
29.040.30
发布日期
1993-12-30
实施日期
1994-10-01
发布单位/组织
国家技术监督局
归口单位
适用范围
-
发布历史
-
1994-10
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研制信息
- 起草单位：
- 机械电子工业部46所和4所
- 起草人：
- 孙毅之、张若愚、谢重木、韩艳芬
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：19 千字 | 开本： 大16开
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