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GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法

GB/T 14141-2009 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 14141-2009
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
-

发布历史

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GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法
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研制信息

起草单位：
宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人：
李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤
出版信息：
页数：12页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开

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