关闭预览GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14141-2009 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 14141-2009
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
-
发布历史
-
1993-10
-
2010-06
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研制信息
- 起草单位：
- 宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
- 起草人：
- 李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：15 千字 | 开本： 大16开
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