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GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

国家标准 中文简体 被代替 页数:8页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 14141-1993
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号(CCS)
H21 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
国际标准分类号(ICS)
29.040.30
发布日期
1993-02-06
实施日期
1993-10-01
发布单位/组织
国家技术监督局
归口单位
适用范围
-

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GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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研制信息

起草单位:
峨眉半导体材料研究所
起草人:
张新、郑绪明
出版信息:
页数:8页 | 字数:9 千字 | 开本: 大16开