关闭预览GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
GB/T 45719-2025 Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
国家标准
中文简体
现行
页数：16页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 45719-2025
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-
发布历史
-
2025-09
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研制信息
- 起草单位：
- 工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所
- 起草人：
- 路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：14 千字 | 开本： 大16开
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