齐齐文库
登录
齐齐文库
下载此文档
关闭预览
  1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 中国国家标准 >
  4. GB/T 45721.1-2025

GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验

GB/T 45721.1-2025 Semiconductor devices—Stress migration test—Part 1:Copper stress migration test

国家标准 中文简体 现行 页数：28页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 45721.1-2025
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-

发布历史

文前页预览

GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
GB/T 45721.1-2025 半导体器件　应力迁移试验　第1部分：铜应力迁移试验
免费预览已结束，剩余部分可下载查看

研制信息

起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、河北北芯半导体科技有限公司、华南理工大学、杭州飞仕得科技股份有限公司、广东工业大学、广东气派科技有限公司、中绍宣标准科技集团有限公司
起草人：
黄云、肖庆中、高汭、韦覃如、成立业、雷登云、周振威、陈思、黄钦文、贾沛、赵海龙、姚若河、李军、万永康、虞勇坚、刘东月、陈勇、崔从俊
出版信息：
页数：28页 | 字数：34 千字 | 开本： 大16开

推荐标准

相似标准推荐

更多>