关闭预览GB/T 45720-2025 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
GB/T 45720-2025 Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
国家标准
中文简体
现行
页数：24页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 45720-2025
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L55 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-
发布历史
-
2025-09
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研制信息
- 起草单位：
- 工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司
- 起草人：
- 陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文
- 出版信息：
- 页数：24页 | 字数：33 千字 | 开本： 大16开
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