关闭预览GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
GB/T 45718-2025 Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers
国家标准
中文简体
现行
页数：20页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 45718-2025
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2025-05-30
实施日期
2025-09-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-
发布历史
-
2025-09
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研制信息
- 起草单位：
- 工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学
- 起草人：
- 高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬
- 出版信息：
- 页数：20页 | 字数：23 千字 | 开本： 大16开
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