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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 8760-2020 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 8760-2020
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 砷化镓单晶位错密度的测试方法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2020-09-29
实施日期
2021-08-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
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研制信息

起草单位：
有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人：
赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
出版信息：
页数：12页 | 字数：16 千字 | 开本： 大16开

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