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GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

国家标准 中文简体 现行 页数:20页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 6219-1998
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
L42 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
国际标准分类号(ICS)
31.080.30
发布日期
1998-11-17
实施日期
1999-06-01
发布单位/组织
国家质量技术监督局
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
适用范围
-

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GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
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研制信息

起草单位:
电子工业部标准化研究所
起草人:
王长福、顾振球、邓康、黄世杰
出版信息:
页数:20页 | 字数:31 千字 | 开本: 大16开