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GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法

GB/T 44558-2024 Test method for dislocation imaging in Ⅲ-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 44558-2024
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2024-09-29
实施日期
2025-04-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法
GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法
GB/T 44558-2024 Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试　透射电子显微镜法
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研制信息

起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司
起草人：
曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明
出版信息：
页数：16页 | 字数：17 千字 | 开本： 大16开

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