关闭预览GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
GB/T 43493.2-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
国家标准
中文简体
现行
页数：24页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 43493.2-2023
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L90 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
国际标准分类号（ICS）
31.080.99
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
2024-07
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研制信息
- 起草单位：
- 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司
- 起草人：
- 芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金
- 出版信息：
- 页数：24页 | 字数：45 千字 | 开本： 大16开
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