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GB/T 43493.1-2023 半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第1部分：缺陷分类

GB/T 43493.1-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects

国家标准 中文简体 现行 页数：24页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 43493.1-2023
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L90 半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第1部分：缺陷分类
国际标准分类号（ICS）
31.080.99
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 43493.1-2023 半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第1部分：缺陷分类
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GB/T 43493.1-2023 半导体器件　功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据　第1部分：缺陷分类
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研制信息

起草单位：
河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司
起草人：
房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、夏俊杰、周少丰、郭世平
出版信息：
页数：24页 | 字数：42 千字 | 开本： 大16开

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