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GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测　腐蚀法

GB/T 43315-2023 Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 43315-2023
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 硅片流动图形缺陷的检测　腐蚀法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2023-11-27
实施日期
2024-06-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测　腐蚀法
GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测　腐蚀法
GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测　腐蚀法
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研制信息

起草单位：
中环领先(徐州)半导体材料有限公司、山东有研半导体材料有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、麦克斯电子材料股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司
起草人：
朱志高、陈俊宏、陈凤林、高海棠、李素青、朱晓彤、由佰玲、吕莹、潘金平、张海英、胡晓亮、方丽霞、陈跃骅、黄景明
出版信息：
页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开

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