关闭预览GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
GB/T 41751-2022 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 41751-2022
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-02-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
2023-02
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研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司
- 起草人：
- 邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
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