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GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

GB/T 41751-2022 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41751-2022
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-02-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
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研制信息

起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司、厦门柯誉尔科技有限公司、山西华晶恒基新材料有限公司、福建兆元光电有限公司
起草人：
邱永鑫、徐科、王建峰、任国强、李腾坤、左洪波、郑树楠、刘立娜、杨鑫宏、邝光宁、丁崇灯、陈友勇
出版信息：
页数：12页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开

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