齐齐文库
登录
齐齐文库
下载此文档
关闭预览
  1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 中国国家标准 >
  4. GB/T 41325-2022

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片

GB/T 41325-2022 Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 41325-2022
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H82 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2022-03-09
实施日期
2022-10-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

文前页预览

GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
免费预览已结束，剩余部分可下载查看

研制信息

起草单位：
有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
起草人：
孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平
出版信息：
页数：12页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开

推荐标准

相似标准推荐

更多>