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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

GB/T 36646-2018 Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

国家标准 中文简体 现行 页数：20页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 36646-2018
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L95 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
国际标准分类号（ICS）
31.220
发布日期
2018-09-17
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
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研制信息

起草单位：
东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
起草人：
刘鹏、孙永健、丁晓民、冯亚彬、王健辉
出版信息：
页数：20页 | 字数：28 千字 | 开本： 大16开

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