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GB/T 36474-2018 半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

国家标准 中文简体 现行 页数：20页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 36474-2018
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L56 半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
国际标准分类号（ICS）
31.200
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 36474-2018 半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
GB/T 36474-2018 半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
GB/T 36474-2018 半导体集成电路　第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
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研制信息

起草单位：
中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
起草人：
孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明
出版信息：
页数：20页 | 字数：26 千字 | 开本： 大16开

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