关闭预览GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
国家标准
中文简体
现行
页数：20页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 36474-2018
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L56 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法
国际标准分类号（ICS）
31.200
发布日期
2018-06-07
实施日期
2019-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
-
发布历史
-
2019-01
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研制信息
- 起草单位：
- 中国电子技术标准化研究院、西安紫光国芯半导体有限公司、上海高性能集成电路设计中心、武汉芯动科技有限公司、成都华微电子科技有限公司
- 起草人：
- 孔宪伟、殷梦迪、尹萍、巨鹏锦、高专、刘建明
- 出版信息：
- 页数：20页 | 字数：26 千字 | 开本： 大16开
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