齐齐文库
登录
齐齐文库
下载此文档
关闭预览
  1. 当前位置：
  2. 首页 >
  3. 中国国家标准 >
  4. GB/T 34900-2017

GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

GB/T 34900-2017 Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer

国家标准 中文简体 现行 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 34900-2017
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L55 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
国际标准分类号（ICS）
31.200
发布日期
2017-11-01
实施日期
2018-05-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
适用范围
-

发布历史

文前页预览

GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术　基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
免费预览已结束，剩余部分可下载查看

研制信息

起草单位：
天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所
起草人：
郭彤、胡晓东、李海斌、于振毅、裘安萍、程红兵、崔波、朱悦
出版信息：
页数：16页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开

推荐标准

相似标准推荐

更多>