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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

GB/T 34481-2017 Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

国家标准 中文简体 现行 页数：8页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 34481-2017
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H25 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2017-10-14
实施日期
2018-07-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
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研制信息

起草单位：
云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
起草人：
惠峰、普世坤、董汝昆
出版信息：
页数：8页 | 字数：8 千字 | 开本： 大16开

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