关闭预览GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法
GB/T 25188-2010 Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
国家标准
中文简体
现行
页数：12页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 25188-2010
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
G04 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法
国际标准分类号（ICS）
71.040.40
发布日期
2010-09-26
实施日期
2011-08-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国微束分析标准化技术委员会
适用范围
-
发布历史
-
2011-08
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研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
- 起草人：
- 刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美
- 出版信息：
- 页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开
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