GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
GB/T 24578-2024 Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers—Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
国家标准
中文简体
现行
页数:20页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 24578-2024
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H21 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
国际标准分类号(ICS)
77.040
发布日期
2024-07-24
实施日期
2025-02-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
2025-02
文前页预览
免费预览已结束,剩余部分可下载查看
研制信息
- 起草单位:
- 有研半导体硅材料股份公司、天通银厦新材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、深圳牧野微电子技术有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、广东天域半导体股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、江苏芯梦半导体设备有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、深圳市深鸿盛电子有限公司、深圳市晶导电子有限公司、湖南德智新材料有限公司
- 起草人:
- 宁永铎、孙燕、贺东江、李素青、朱晓彤、康森、靳慧洁、孙韫哲、潘金平、任殿胜、张海英、何凌、丁雄杰、刘薇、沈演凤、廖周芳、赵丽丽、张西刚、赖辉朋、廖家豪
- 出版信息:
- 页数:20页 | 字数:25 千字 | 开本: 大16开
推荐标准
- GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定 多晶硅表面金属污染物 2009-10-30
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 2009-10-30
- GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 2009-10-30
- GB/T 24581-2022 硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 2022-03-09
- GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质 2009-10-30
- GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 2023-08-06
- GB/T 24583.1-2009 钒氮合金 钒含量的测定 硫酸亚铁铵滴定法 2009-10-30
- GB/T 24583.1-2019 钒氮合金 钒含量的测定 硫酸亚铁铵滴定法 2019-06-04
- GB/T 24583.2-2009 钒氮合金 氮含量的测定 惰性气体熔融热导法 2009-10-30
- GB/T 24583.2-2019 钒氮合金 氮含量的测定 惰性气体熔融热导法 2019-06-04
相似标准推荐
更多>- 1 GB/T 24626-2009 耐爆炸设备
- 2 GB/T 24627-2023 外科植入物用镍-钛形状记忆合金加工材
- 3 GB/T 24628-2009 医疗保健产品灭菌 生物与化学指示物 测试设备
- 4 GB/T 24629-2009 外科植入物 矫形外科植入物维护和操作指南
- 5 GB/T 2463-2008 硫铁矿和硫精矿中全铁含量的测定 硫酸铈容量法和重铬酸钾容量法
- 6 GB/T 2463.1-1996 硫铁矿和硫精矿中全铁含量的测定 第1部分:硫酸铈容量法
- 7 GB/T 2463.2-1996 硫铁矿和硫精矿中全铁含量的测定 第2部分:三氯化钛-重铬酸钾容量法
- 8 GB/T 24630.1-2009 产品几何技术规范(GPS) 平面度 第1部分:词汇和参数
- 9 GB/T 24630.1-2024 产品几何技术规范(GPS) 平面度 第1部分:词汇和参数
- 10 GB/T 24630.2-2009 产品几何技术规范(GPS) 平面度 第2部分:规范操作集

关闭预览
