齐齐文库
登录
齐齐文库
下载此文档
关闭预览

GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

GB/T 19444-2004 Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

国家标准 中文简体 现行 页数:8页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 19444-2004
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H26 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
国际标准分类号(ICS)
29.040.01
发布日期
2004-02-05
实施日期
2004-07-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国有色金属标准化技术委员会
适用范围
-

发布历史

文前页预览

GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
免费预览已结束,剩余部分可下载查看

研制信息

起草单位:
洛阳单晶硅有限责任公司和中国有色金属工业标准计量质量研究所
起草人:
蒋建国、屠妹英、贺东江、章云杰
出版信息:
页数:8页 | 字数:9 千字 | 开本: 大16开