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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 17170-2015 Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

国家标准 中文简体 现行 页数:8页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 17170-2015
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H17 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
国际标准分类号(ICS)
77.040
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-07-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

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GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
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研制信息

起草单位:
信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会
起草人:
何秀坤、李静、张雪囡
出版信息:
页数:8页 | 字数:10 千字 | 开本: 大16开