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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法

GB/T 1551-2021 Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

国家标准 中文简体 现行 页数：28页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 1551-2021
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H21 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法
国际标准分类号（ICS）
77.040
发布日期
2021-05-21
实施日期
2021-12-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法
GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定　直排四探针法和直流两探针法
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研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公司、有研半导体材料有限公司、广州市昆德科技有限公司、青海芯测科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司、乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、亚洲硅业(青海)股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、开化县检验检测研究院、南京国盛电子有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、义乌力迈新材料有限公司
起草人：
刘立娜、刘兆枫、何烜坤、刘刚、杨素心、孙燕、高英、王昕、梁洪、潘金平、楼春兰、宗冰、李慎重、潘文宾、蔡丽艳、王志强、皮坤林
出版信息：
页数：28页 | 字数：46 千字 | 开本： 大16开

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