GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 14847-2010 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准
中文简体
现行
页数:12页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 14847-2010
相关服务
仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
H80 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
国际标准分类号(ICS)
29.045
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-
发布历史
-
1994-09
-
2011-10
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研制信息
- 起草单位:
- 宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
- 起草人:
- 李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
- 出版信息:
- 页数:12页 | 字数:17 千字 | 开本: 大16开
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