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GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon

国家标准 中文简体 现行 页数：32页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 13389-2014
相关服务
  仅限个人学习交流使用
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H80 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2014-12-31
实施日期
2015-09-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
-

发布历史

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GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
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研制信息

起草单位：
有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
起草人：
孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社
出版信息：
页数：32页 | 字数：49 千字 | 开本： 大16开

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